您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

一键发布采购 上传BOM
上传BOM文件: BOM文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
应用领域:

有效期:
OEM清单文件: OEM清单文件
*公司名:
*联系人:
*手机号码:
QQ:
有效期:
您现在的位置:首页 > S字母型号搜索 > S字母第189页 > SI1539DL-T1-E3

SI1539DL-T1-E3中文资料

SI1539DL-T1-E3图片

SI1539DL-T1-E3外观图

  • 大小:84KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET TRANSISTOR; Module Configuration:Dual; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:630mA; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):480mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:270mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:630mA; Package / Case:SOT-363; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 数据列表:SI1539DL
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:N 和 P 沟道
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:540mA,420mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:480 毫欧 @ 590mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:1.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:270mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装:SC-70-6
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI1539DL-T1-E3TR

SI1539DL-T1-E3供应商

更新时间:2022-12-31 21:29:01
  • 供应商
  • 产品型号
  • 服务标识
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 说明
  • 询价

IC型号索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

在采购SI1539DL-T1-E3进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

免责声明:以上所展示的SI1539DL-T1-E3信息由会员自行提供,SI1539DL-T1-E3内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。维库网不承担任何责任。

友情提醒:为规避购买SI1539DL-T1-E3产品风险,建议您在购买SI1539DL-T1-E3相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"委托宝交易服务",买卖都安全。